Vishay Semiconductor - Diodes Division VS-ETF150Y65N
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- VS-ETF150Y65N
- Vishay Semiconductor - Diodes Division
- IGBT MOD 650V 201A 600W
- Transistors - IGBTs - Modules
- VS-ETF150Y65N 데이터시트
- Module
- Box
-
Lead free / RoHS Compliant - 4926
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| Part Number VS-ETF150Y65N |
| Category Transistors - IGBTs - Modules |
| Manufacturer Vishay Semiconductor - Diodes Division |
| Description IGBT MOD 650V 201A 600W |
| Package Box |
| Series FRED Pt® |
| Operating Temperature 175°C (TJ) |
| Mounting Type - |
| Package / Case Module |
| Supplier Device Package Module |
| Power - Max 600 W |
| Configuration Half Bridge Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) 201 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) - |
| IGBT Type NPT |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce - |
| Input Standard |
| NTC Thermistor Yes |
| Package_case Module |
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