Toshiba Semiconductor and Storage TPN2R304PL,L1Q
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- TPN2R304PL,L1Q
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TPN2R304PL,L1Q 데이터시트
- 8-PowerVDFN
- Cut Tape (CT)
-
Lead free / RoHS Compliant - 5844
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number TPN2R304PL,L1Q |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON |
| Package Cut Tape (CT) |
| Series U-MOSIX-H |
| Operating Temperature 175°C |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 0.3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 20 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case 8-PowerVDFN |
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