Toshiba Semiconductor and Storage TK100L60W,VQ
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- TK100L60W,VQ
- Toshiba Semiconductor and Storage
- MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TK100L60W,VQ 데이터시트
- TO-3PL
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 4457
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number TK100L60W,VQ |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage |
| Description MOSFET N-CH 600V 100A TO3P |
| Package Tube |
| Series DTMOSIV |
| Operating Temperature 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-3PL |
| Supplier Device Package TO-3P(L) |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 797W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature Super Junction |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15000 pF @ 30 V |
| Vgs (Max) ±30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
| Package_case TO-3PL |
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