TIP35E

NTE Electronics, Inc TIP35E

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  • TIP35E
  • NTE Electronics, Inc
  • T-NPN SI- PWR AMP
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
  • TIP35E 데이터시트
  • TO-247-3
  • Bag
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 3160
  • 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
  • 1년간의 품질 보장 》
  • 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number
TIP35E
Category
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer
NTE Electronics, Inc
Description
T-NPN SI- PWR AMP
Package
Bag
Series
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247
Power - Max
125 W
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 6.25A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1.5A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Package_case
TO-247-3

TIP35E 보증

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