SQD19P06-60L_GE3

Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3

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  • SQD19P06-60L_GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 60V 20A TO252
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • SQD19P06-60L_GE3 데이터시트
  • TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Tape & Reel (TR)
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 1482
  • 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
  • 1년간의 품질 보장 》
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부품 번호
SQD19P06-60L_GE3
범주
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
제조업체
Vishay Siliconix
설명
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
패키지
Tape & Reel (TR)
시리즈
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252AA
기술
MOSFET (Metal Oxide)
전력 소비(최대)
46W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 19A, 10V
Vgs(일)(최대) @Id
2.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
41 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1490 pF @ 25 V
Vgs(최대)
±20V
구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐)
4.5V, 10V

SQD19P06-60L_GE3 보증

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