Vishay Siliconix SISH108DN-T1-GE3
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- SISH108DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SISH108DN-T1-GE3 데이터시트
- PowerPAK® 1212-8SH
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 4910
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number SISH108DN-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® Gen II |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case PowerPAK® 1212-8SH |
| Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SH |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds - |
| Vgs (Max) ±16V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
| Package_case PowerPAK® 1212-8SH |
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