Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1
- SI8819EDB-T2-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8819EDB-T2-E1 데이터시트
- 4-XFBGA
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 840
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number SI8819EDB-T2-E1 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Vishay Siliconix |
Description MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT |
Package Tape & Reel (TR) |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 4-XFBGA |
Supplier Device Package 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 3.7V |
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 6 V |
Vgs (Max) ±8V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 3.7V |
Package_case 4-XFBGA |
SI8819EDB-T2-E1 보증
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