Vishay Siliconix SI8808DB-T2-E1
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- SI8808DB-T2-E1
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SI8808DB-T2-E1 데이터시트
- 4-UFBGA
- Jinftry-Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 26357
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number SI8808DB-T2-E1 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT |
| Package Jinftry-Reel® |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 4-UFBGA |
| Supplier Device Package 4-Microfoot |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 500mW (Ta) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 15 V |
| Vgs (Max) ±8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V |
| Package_case 4-UFBGA |
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