Vishay Siliconix SI5509DC-T1-GE3
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- SI5509DC-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SI5509DC-T1-GE3 데이터시트
- 8-SMD, Flat Lead
- Tape & Reel (TR)
-
Lead free / RoHS Compliant - 1924
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number SI5509DC-T1-GE3 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| Package Tape & Reel (TR) |
| Series TrenchFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™ |
| Power - Max 4.5W |
| FET Type N and P-Channel |
| FET Feature Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A, 4.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 10V |
| Package_case 8-SMD, Flat Lead |
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