Nexperia USA Inc. PMXB360ENEA
- PMXB360ENEA
- Nexperia USA Inc.
- MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- PMXB360ENEA 데이터시트
- 3-XDFN Exposed Pad
- 3-XDFN Exposed Pad
- Lead free / RoHS Compliant
- 1837
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number PMXB360ENEA |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Nexperia USA Inc. |
Description MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN |
Package 3-XDFN Exposed Pad |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package DFN1010D-3 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
FET Type N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130pF @ 40V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V |
Vgs (Max) ±20V |
Package_case 3-XDFN Exposed Pad |
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