Renesas Electronics America Inc NP80N055PDG-E1B-AY
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- NP80N055PDG-E1B-AY
- Renesas Electronics America Inc
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- NP80N055PDG-E1B-AY 데이터시트
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 998
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| Part Number NP80N055PDG-E1B-AY |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Renesas Electronics America Inc |
| Description MOSFET N-CH 55V 80A TO263 |
| Package Bulk |
| Series - |
| Operating Temperature 175°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package TO-263 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6.9 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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