Micron Technology Inc. NAND01GW3B2CN6E
- NAND01GW3B2CN6E
- Micron Technology Inc.
- IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- General Memory
- NAND01GW3B2CN6E 데이터시트
- 48-TFSOP (0.724\", 18.40mm Width)
- Tray
- Lead free / RoHS Compliant
- 3286
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number NAND01GW3B2CN6E |
Category General Memory |
Manufacturer Micron Technology Inc. |
Description IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
Package Tray |
Series - |
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V |
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 48-TFSOP (0.724\", 18.40mm Width) |
Supplier Device Package 48-TSOP |
Memory Size 1Gb (128M x 8) |
Technology FLASH - NAND |
Memory Type Non-Volatile |
Clock Frequency - |
Access Time 25 ns |
Memory Format FLASH |
Write Cycle Time - Word, Page 25ns |
Memory Interface Parallel |
Package_case 48-TFSOP (0.724\", 18.40mm Width) |
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