GeneSiC Semiconductor MURTA200120
- MURTA200120
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MURTA200120 데이터시트
- Three Tower
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 1380
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number MURTA200120 |
Category Diodes - Rectifiers - Arrays |
Manufacturer GeneSiC Semiconductor |
Description DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
Package Bulk |
Series - |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Three Tower |
Supplier Device Package Three Tower |
Diode Type Standard |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.6 V @ 100 A |
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 1200 V |
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A |
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C |
Package_case Three Tower |
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MBR600200CTR
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
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