Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M
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- MT47H512M4THN-25E:M
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- General Memory
- MT47H512M4THN-25E:M 데이터시트
- 63-TFBGA
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 1192
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| Part Number MT47H512M4THN-25E:M |
| Category General Memory |
| Manufacturer Micron Technology Inc. |
| Description IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA |
| Package Tray |
| Series - |
| Voltage - Supply 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case 63-TFBGA |
| Supplier Device Package 63-FBGA (8x10) |
| Memory Size 2Gb (512M x 4) |
| Technology SDRAM - DDR2 |
| Memory Type Volatile |
| Clock Frequency 400 MHz |
| Access Time 400 ps |
| Memory Format DRAM |
| Write Cycle Time - Word, Page 15ns |
| Memory Interface Parallel |
| Package_case 63-TFBGA |
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