GeneSiC Semiconductor MBR200150CTR
- MBR200150CTR
- GeneSiC Semiconductor
- DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
- Diodes - Rectifiers - Arrays
- MBR200150CTR 데이터시트
- Twin Tower
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 2733
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number MBR200150CTR |
Category Diodes - Rectifiers - Arrays |
Manufacturer GeneSiC Semiconductor |
Description DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER |
Package Bulk |
Series - |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Twin Tower |
Supplier Device Package Twin Tower |
Diode Type Schottky |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 880 mV @ 100 A |
Current - Reverse Leakage @ Vr 3 mA @ 150 V |
Diode Configuration 1 Pair Common Anode |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 150 V |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A |
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) - |
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C |
Package_case Twin Tower |
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