Vishay Siliconix IRFD213
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- IRFD213
- Vishay Siliconix
- MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFD213 데이터시트
- 4-DIP (0.300\", 7.62mm)
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 1772
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number IRFD213 |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer Vishay Siliconix |
| Description MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP |
| Package Tube |
| Series - |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case 4-DIP (0.300\", 7.62mm) |
| Supplier Device Package 4-HVMDIP |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) - |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 270mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
| Package_case 4-DIP (0.300\", 7.62mm) |
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