Infineon Technologies IRFB3607PBF
- IRFB3607PBF
- Infineon Technologies
- MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- IRFB3607PBF 데이터시트
- TO-220-3
- -Reel®
-
Lead free / RoHS Compliant - 4469
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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| 부품 번호 IRFB3607PBF |
| 범주 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 제조업체 Infineon Technologies |
| 설명 MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB |
| 패키지 -Reel® |
| 시리즈 HEXFET® |
| 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 Through Hole |
| 패키지/케이스 TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
| 기술 MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 소비(최대) 140W (Tc) |
| FET 유형 N-Channel |
| FET 기능 - |
| 드레인-소스 전압(Vdss) 75 V |
| 전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C 80A (Tc) |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V |
| Vgs(일)(최대) @Id 4V @ 100µA |
| 게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs 84 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 3070 pF @ 50 V |
| Vgs(최대) ±20V |
| 구동 전압(최대 RDS 켜짐, 최소 RDS 켜짐) 10V |
IRFB3607PBF 보증



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