Harris Corporation HGT1S3N60B3DS
- HGT1S3N60B3DS
- Harris Corporation
- 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
- Transistors - IGBTs - Single
- HGT1S3N60B3DS 데이터시트
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 3918
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number HGT1S3N60B3DS |
Category Transistors - IGBTs - Single |
Manufacturer Harris Corporation |
Description 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT |
Package Bulk |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package TO-263AB |
Power - Max 33.3 W |
Input Type Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 28 ns |
Current - Collector (Ic) (Max) 7 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V |
IGBT Type - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3.5A |
Gate Charge 18 nC |
Td (on/off) @ 25°C 18ns/105ns |
Test Condition 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V |
Current - Collector Pulsed (Icm) 20 A |
Switching Energy 66µJ (on), 88µJ (off) |
Package_case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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