GP1M012A060FH

Global Power Technologies Group GP1M012A060FH

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  • GP1M012A060FH
  • Global Power Technologies Group
  • MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • GP1M012A060FH 데이터시트
  • TO-220-3 Full Pack
  • TO-220-3 Full Pack
  • Lead free / RoHS CompliantLead free / RoHS Compliant
  • 2032
  • 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
  • 1년간의 품질 보장 》
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Part Number
GP1M012A060FH
Category
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Global Power Technologies Group
Description
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
Package
TO-220-3 Full Pack
Series
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220F
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
53W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2308pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Package_case
TO-220-3 Full Pack

GP1M012A060FH 보증

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