GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263
- GA10SICP12-263
- GeneSiC Semiconductor
- TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- GA10SICP12-263 데이터시트
- TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 1861
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number GA10SICP12-263 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer GeneSiC Semiconductor |
Description TRANS SJT 1200V 25A D2PAK |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature 175°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Supplier Device Package TO-263-7 |
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Power Dissipation (Max) 170W (Tc) |
FET Type - |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A |
Vgs(th) (Max) @ Id - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1403 pF @ 800 V |
Vgs (Max) - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) - |
Package_case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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