Infineon Technologies FZ1200R33HE3BPSA1
- FZ1200R33HE3BPSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MODULE 3300V 1200A
- Transistors - IGBTs - Modules
- FZ1200R33HE3BPSA1 데이터시트
- Module
- Tray
- Lead free / RoHS Compliant
- 8902
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number FZ1200R33HE3BPSA1 |
Category Transistors - IGBTs - Modules |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description IGBT MODULE 3300V 1200A |
Package Tray |
Series - |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Module |
Supplier Device Package Module |
Power - Max 13000 W |
Configuration Full Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) 1200 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300 V |
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA |
IGBT Type Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 1200A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce 210 nF @ 25 V |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case Module |
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