Fairchild Semiconductor FQT3P20TF_SB82100
- FQT3P20TF_SB82100
- Fairchild Semiconductor
- 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQT3P20TF_SB82100 데이터시트
- TO-261-4, TO-261AA
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 3230
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number FQT3P20TF_SB82100 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer Fairchild Semiconductor |
Description 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE |
Package Bulk |
Series QFET® |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-261-4, TO-261AA |
Supplier Device Package SOT-223-4 |
Technology MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc) |
FET Type P-Channel |
FET Feature - |
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 670mA (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 335mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V |
Vgs (Max) ±30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V |
Package_case TO-261-4, TO-261AA |
FQT3P20TF_SB82100 보증
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