ON Semiconductor FQP4N20L
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- FQP4N20L
- ON Semiconductor
- MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- FQP4N20L 데이터시트
- TO-220-3
- Tube
-
Lead free / RoHS Compliant - 3323
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number FQP4N20L |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Manufacturer ON Semiconductor |
| Description MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3 |
| Package Tube |
| Series QFET® |
| Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Through Hole |
| Package / Case TO-220-3 |
| Supplier Device Package TO-220-3 |
| Technology MOSFET (Metal Oxide) |
| Power Dissipation (Max) 45W (Tc) |
| FET Type N-Channel |
| FET Feature - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 1.9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V |
| Vgs (Max) ±20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V |
| Package_case TO-220-3 |
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