IXYS FII30-12E
- FII30-12E
- IXYS
- IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
- Transistors - IGBTs - Arrays
- FII30-12E 데이터시트
- i4-Pac™-5
- Tube
- Lead free / RoHS Compliant
- 2645
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number FII30-12E |
Category Transistors - IGBTs - Arrays |
Manufacturer IXYS |
Description IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 |
Package Tube |
Series - |
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case i4-Pac™-5 |
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™ |
Power - Max 150 W |
Configuration Half Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) 33 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V |
Current - Collector Cutoff (Max) 200 µA |
IGBT Type NPT |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.2 nF @ 25 V |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case i4-Pac™-5 |
FII30-12E 보증
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