EPC EPC2108
- EPC2108
- EPC
- GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2108 데이터시트
- 9-VFBGA
- Tape & Reel (TR)
- Lead free / RoHS Compliant
- 3889
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number EPC2108 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer EPC |
Description GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
Package Tape & Reel (TR) |
Series eGaN® |
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case 9-VFBGA |
Supplier Device Package 9-BGA (1.35x1.35) |
Power - Max - |
FET Type 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
Package_case 9-VFBGA |
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