EPC EPC2105ENG
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- EPC2105ENG
- EPC
- TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
- Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- EPC2105ENG 데이터시트
- Die
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Lead free / RoHS Compliant - 1573
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
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| Part Number EPC2105ENG |
| Category Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Manufacturer EPC |
| Description TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| Package Die |
| Series eGaN? |
| Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type Surface Mount |
| Package / Case Die |
| Supplier Device Package Die |
| FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A, 38A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V |
| Package_case Die |
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