Infineon Technologies BSM50GB170DN2HOSA1
- BSM50GB170DN2HOSA1
- Infineon Technologies
- IGBT MOD 1700V 72A 500W
- Transistors - IGBTs - Modules
- BSM50GB170DN2HOSA1 데이터시트
- Module
- Bulk
- Lead free / RoHS Compliant
- 19667
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number BSM50GB170DN2HOSA1 |
Category Transistors - IGBTs - Modules |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description IGBT MOD 1700V 72A 500W |
Package Bulk |
Series - |
Operating Temperature 150°C (TJ) |
Mounting Type Chassis Mount |
Package / Case Module |
Supplier Device Package Module |
Power - Max 500 W |
Configuration Half Bridge |
Current - Collector (Ic) (Max) 72 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V |
Current - Collector Cutoff (Max) - |
IGBT Type - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 50A |
Input Capacitance (Cies) @ Vce 8 nF @ 25 V |
Input Standard |
NTC Thermistor No |
Package_case Module |
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