Infineon Technologies BFR 182 E6327
- BFR 182 E6327
- Infineon Technologies
- TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
- Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- BFR 182 E6327 데이터시트
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Lead free / RoHS Compliant
- 28925
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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Part Number BFR 182 E6327 |
Category Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Manufacturer Infineon Technologies |
Description TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23 |
Package TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Series - |
Operating Temperature 150°C (TJ) |
Mounting Type Surface Mount |
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package PG-SOT23-3 |
Gain 12dB ~ 18dB |
Power - Max 250mW |
Transistor Type NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V |
Frequency - Transition 8GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Package_case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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