ON Semiconductor AFGY120T65SPD
- AFGY120T65SPD
- ON Semiconductor
- IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
- Transistors - IGBTs - Single
- AFGY120T65SPD 데이터시트
- TO-247-3
- -
- Lead free / RoHS Compliant
- 6674
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number AFGY120T65SPD |
Category Transistors - IGBTs - Single |
Manufacturer ON Semiconductor |
Description IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR |
Package - |
Series Automotive, AEC-Q101 |
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type Through Hole |
Package / Case TO-247-3 |
Supplier Device Package TO-247-3 |
Power - Max 714 W |
Input Type Standard |
Reverse Recovery Time (trr) 107 ns |
Current - Collector (Ic) (Max) 160 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V |
IGBT Type Trench Field Stop |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 120A |
Gate Charge 125 nC |
Td (on/off) @ 25°C 40ns/80ns |
Test Condition 400V, 120A, 5Ohm, 15V |
Current - Collector Pulsed (Icm) 360 A |
Switching Energy 6.6mJ (on), 3.8mJ (off) |
Package_case TO-247-3 |
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