NXP USA Inc. A2G35S200-01SR3
- A2G35S200-01SR3
- NXP USA Inc.
- AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- A2G35S200-01SR3 데이터시트
- NI-400S-2S
- Cut Tape (CT)
- Lead free / RoHS Compliant
- 11304
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
- 요금을 보려면 클릭하세요
Part Number A2G35S200-01SR3 |
Category Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer NXP USA Inc. |
Description AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
Package Cut Tape (CT) |
Series - |
Package / Case NI-400S-2S |
Supplier Device Package NI-400S-2S |
Frequency 3.4GHz ~ 3.6GHz |
Gain 16.1dB |
Noise Figure - |
Power - Output 180W |
Transistor Type GaN HEMT |
Voltage - Test 48 V |
Current - Test 291 mA |
Voltage - Rated 125 V |
Current Rating (Amps) - |
Package_case NI-400S-2S |
A2G35S200-01SR3 보증
• 신속하게 대응
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