Micron Technology Inc. MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
- Micron Technology Inc.
- IC DRAM LPDDR4 WFBGA
- Memory
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 데이터시트
- -
- Tray
-
Lead free / RoHS Compliant - 4183
- 현물 재고 / 공인 판매상 / 공장 잔여 재고
- 1년간의 품질 보장 》
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| 부품 번호 MT53E256M16D1DS-046 AAT:B |
| 범주 Memory |
| 제조업체 Micron Technology Inc. |
| 설명 IC DRAM LPDDR4 WFBGA |
| 패키지 Tray |
| 시리즈 Automotive, AEC-Q100 |
| 전압 - 공급 1.1V |
| 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) |
| 장착 유형 - |
| 패키지/케이스 - |
| 공급자 장치 패키지 - |
| 메모리 크기 4Gb (256M x 16) |
| 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 유형 Volatile |
| 클록 주파수 2.133 GHz |
| 접근 시간 - |
| 메모리 형식 DRAM |
| 쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지 - |
| 메모리 인터페이스 - |
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B 보증



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Micron Technology Inc.

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