NXP USA Inc. BLF6G10LS-135RN112
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- BLF6G10LS-135RN112
- NXP USA Inc.
- POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 (
- Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- BLF6G10LS-135RN112 데이터시트
- -
- Bulk
-
Lead free / RoHS Compliant - 4615
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| 부품 번호 BLF6G10LS-135RN112 |
| 범주 Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 제조업체 NXP USA Inc. |
| 설명 POWER LDMOS TRANSISTOR, SOT502 ( |
| 패키지 Bulk |
| 시리즈 - |
| 작동 온도 - |
| 장착 유형 - |
| 패키지/케이스 - |
| 공급자 장치 패키지 - |
| 파워맥스 - |
| 트랜지스터 유형 - |
| 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - |
| 전압 - 콜렉터 이미터 고장(최대) - |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic - |
| 전류 - 컬렉터 컷오프(최대) - |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce - |
| 주파수 전환 - |
BLF6G10LS-135RN112 보증
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